产品生命周期
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●晶体管 - 双极 (BJT) - 单 表面贴装型 SOT-223
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
Nexperia（安世）
NXP PBSS5540X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=40 V, HFE:50, 60 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5540Z,115 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 120 MHz, 1.35 W, -5 A, 350 hFE
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5540Z 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 120 MHz, 1.35 W, 5 A, 350 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5540X,135 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 60 MHz, 550 mW, 5 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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