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MRF581AG
1.594
MRF581AG 数据手册 (6 页)
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MRF581AG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
Macro-X
功耗
1250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数
90 @50mA, 5V
额定功率(Max)
1.25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

MRF581AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
高度
2.54 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MRF581AG 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.14 MByte
Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.08 MByte

MRF581 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
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射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Advanced Semiconductor
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Microsemi(美高森美)
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