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FDA16N50_F109
1.512
FDA16N50_F109 数据手册 (8 页)
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FDA16N50_F109 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
极性
N-Channel
功耗
205 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
16.5 A
输入电容值(Ciss)
1945pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
205 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
205W (Tc)

FDA16N50_F109 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.2 mm
宽度
5 mm
高度
20.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDA16N50_F109 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.57 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte

FDA16N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA16N50_F109, 16.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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