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器件3D模型
¥ 3.006
MT48LC16M16A2P-7E 数据手册 - Micron(镁光)
制造商:
Micron(镁光)
分类:
RAM芯片
封装:
TSOP
描述:
MICRON MT48LC16M16A2P-7E 芯片, 存储器, SDRAM, 256MB, 133MHZ, 54TSOP
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
MT48LC16M16A2P-7E 数据手册 (87 页)
封装尺寸
在
15 页
16 页
17 页
18 页
原理图
在
8 页
9 页
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MT48LC16M16A2P-7E 数据手册
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MT48LC16M16A2P-7E 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
54 Pin
工作电压
3.30 V
封装
TSOP
针脚数
54 Position
存取时间
7.5 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
查看数据手册 >
MT48LC16M16A2P-7E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
工作温度
0℃ ~ 70℃
查看数据手册 >
MT48LC16M16A2P-7E 符合标准
MT48LC16M16A2P-7E 概述
●
MT48LC16M16A2P-7E是一款256MB高速CMOS SDRAM, 133MHz时钟频率. 该产片内部配置为一个带有同步接口的四存储区DRAM (所有信号全部在时钟信号CLK的正边沿注册). 256MB SDRAM器件 (4 Meg × 16 × 4 存储区)是DRAM, 运行电压为3.3V, 并包含一个同步接口. 所有信号注册在时钟信号CLK的上升边沿. 每个x4s 67108864位存储区组织为8482行, 2048列, 4位. SDRAM的读写访问是突发式的; 在选定的位置开始访问, 并以编程的顺序继续连续的编号的位置. 访问从启动命令开始, 然后是读取或写入命令. 与有效命令一致的地址位用于选择要访问的存储区与行 (BA0和BA1选择存储区, A (12:0)选择该行).
●
完全同步, 所有信号在系统时钟正边沿注册
●
内部流水线运行, 列地址可以在每个时钟周期更改
●
内部存储区, 用于隐藏行访问/预充电
●
自动预充电, 包括并发自动预充电与自动刷新模式
●
自刷新模式 (在AT设备上不可用)
●
输入与输出, LVTTL兼容
●
PC100-与PC133-兼容
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MICRON MT48LC16M16A2P-7E:D 芯片, SDRAM 256MB
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Micron(镁光)
MICRON MT48LC16M16A2P-7E 芯片, 存储器, SDRAM, 256MB, 133MHZ, 54TSOP
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MICRON MT48LC16M16A2P-75:D 芯片, SDRAM 256MB
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MT48LC16M16A2P-75IT 停产
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