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器件3D模型
¥ 0.537
MTP3055VL 数据手册 - Fairchild(飞兆/仙童)
制造商:
Fairchild(飞兆/仙童)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MTP3055VL 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.1 ohm, 5 V, 1.6 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸
在
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MTP3055VL 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
190 ns
输入电容值(Ciss)
570pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
48 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
48 W
查看数据手册 >
MTP3055VL 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃
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MTP3055VL 数据手册
MTP3055VL
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产品修订记录
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其他参考文件
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MTP3055 数据手册
MTP3055
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ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
MTP3055
数据手册
Motorola(摩托罗拉)
MTP3055
VL
数据手册
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MTP3055VL 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.1 ohm, 5 V, 1.6 V
MTP3055
VL
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ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
MTP3055
V
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ON Semiconductor(安森美)
MTP3055
V
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
MTP3055
E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
MTP3055
E
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MTP3055
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