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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MUN5233T1G Datasheet 文档
MUN5233T1G
器件3D模型
0.02
MUN5233T1G 数据手册 (12 页)
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MUN5233T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-3
极性
NPN
功耗
0.31 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
额定功率(Max)
202 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310 mW

MUN5233T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MUN5233T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

MUN5233T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MUN5233T1G.  晶体管, 带电阻, 50V, 47K/4.7KΩ, SOT323
Leshan Radio(乐山无线电)
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