器件3D模型

￥ 0.026

MUN5312DW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-88-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR MUN5312DW1T1G 晶体管双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新

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MUN5312DW1T1G 数据手册 (10 页)

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MUN5312DW1T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SC-88-6

极性

NPN, PNP

功耗

0.385 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

60 @5mA, 10V

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

385 mW

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MUN5312DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MUN5312DW1T1G 符合标准

MUN5312DW1T1G 海关信息

MUN5312DW1T1G 概述

MUN5312DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.09 MByte

MUN5312DW1T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

MUN5312DW1T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

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