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器件3D模型
¥ 5.586
NAND256W3A2BN6E 数据手册 - Micron(镁光)
制造商:
Micron(镁光)
分类:
Flash芯片
封装:
TSOP-48
描述:
MICRON NAND256W3A2BN6E 闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NAND256W3A2BN6E 数据手册 (56 页)
封装尺寸
在
47 页
48 页
49 页
50 页
典型应用电路图
在
8 页
16 页
原理图
在
9 页
23 页
NAND256W3A2BN6E 数据手册
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NAND256W3A2BN6E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
额定电压(DC)
3.00 V
封装
TSOP-48
供电电流
20 mA
针脚数
48 Position
位数
8 Bit
存取时间
12 µs
内存容量
32000000 B
存取时间(Max)
12000 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V
查看数据手册 >
NAND256W3A2BN6E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃
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NAND256W3A2BN6E 符合标准
NAND256W3A2BN6E 数据手册
NAND256W3A2BN6E
数据手册
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NAND256W3A2BN6E
产品修订记录
Micron(镁光)
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NAND256W3A2BN6 数据手册
NAND256W3A2BN6
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND256W3A2BN6
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Micron(镁光)
NAND256W3A2BN6
E
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Micron(镁光)
MICRON NAND256W3A2BN6E 闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚
NAND256W3A2BN6
E
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ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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F TR
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T
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128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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