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Datasheet 搜索 > Flash芯片 > Micron(镁光) > NAND256W3A2BN6E Datasheet 文档
NAND256W3A2BN6E
器件3D模型
5.586
NAND256W3A2BN6E 数据手册 (56 页)
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NAND256W3A2BN6E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
额定电压(DC)
3.00 V
封装
TSOP-48
供电电流
20 mA
针脚数
48 Position
位数
8 Bit
存取时间
12 µs
内存容量
32000000 B
存取时间(Max)
12000 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

NAND256W3A2BN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃

NAND256W3A2BN6E 数据手册

Micron(镁光)
56 页 / 0.92 MByte
Micron(镁光)
60 页 / 1.1 MByte
Micron(镁光)
3 页 / 0.22 MByte

NAND256W3A2BN6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron(镁光)
Micron(镁光)
MICRON  NAND256W3A2BN6E  闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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