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NAND512W3A2SZAXE
26.744
NAND512W3A2SZAXE 数据手册 (51 页)
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NAND512W3A2SZAXE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
63 Pin
额定电压(DC)
3.30 V
封装
TFBGA-63
供电电流
20 mA
位数
8 Bit
存取时间
50 ns
存取时间(Max)
12000 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V

NAND512W3A2SZAXE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
高度
0.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

NAND512W3A2SZAXE 数据手册

Micron(镁光)
51 页 / 0.91 MByte

NAND512W3A2 数据手册

Micron(镁光)
Micron(镁光)
512M (64M x 8) 并行接口 闪存 NAND - TFBGA-63
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron(镁光)
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
512兆, 528字节/ 264字页, 1.8V / 3V , NAND闪存 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron(镁光)
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