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Datasheet 搜索 > 时钟缓冲器、驱动器、锁相环 > ON Semiconductor(安森美) > NB6L11DR2G Datasheet 文档
NB6L11DR2G
器件3D模型
2.933
NB6L11DR2G 数据手册 (13 页)
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NB6L11DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
2 Output
电路数
1 Circuit
最大占空比
60 %
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.375V ~ 3.465V

NB6L11DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

NB6L11DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.35 MByte

NB6L11DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2.5V / 3.3V多级输入至差分LVPECL / LVNECL 1 : 2时钟或数据扇出缓冲器/翻译 2.5V / 3.3V MULTILEVEL INPUT TO DIFFERENTIAL LVPECL/LVNECL 1:2 CLOCK OR DATA FANOUT BUFFER / TRANSLATOR
ON Semiconductor(安森美)
2.5 V / 3.3 V的多级输入至差分LVPECL / LVNECL 1 : 2时钟或数据扇出缓冲器/翻译 2.5 V/3.3 V Multilevel Input to Differential LVPECL/LVNECL 1:2 Clock or Data Fanout Buffer/Translator
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