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NCP1031DR2G
器件3D模型
0.77
NCP1031DR2G 数据手册 (19 页)
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NCP1031DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
1 MHz
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
6 W
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
2 Output
输出电压
12 V
输出电流
1 A
击穿电压
200 V
针脚数
8 Position
功耗
582 mW
开关频率
1 MHz
拓扑结构
Flyback, Step-Up, Step-Down
热阻
172 ℃/W
占空比
75 %
输入电压(Max)
16 V
输入电压(Min)
8 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
16 V
电源电压(Max)
200 V
电源电压(Min)
8 V
输入电压
8V ~ 16V

NCP1031DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

NCP1031DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.42 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.58 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
21 页 / 0.18 MByte

NCP1031DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
低功耗PWM控制器,带有片上电源开关和启动电路48 ? V电信系统 Low Power PWM Controller with On−Chip Power Switch and Startup Circuits for 48V Telecom Systems
ON Semiconductor(安森美)
PoE-PD 接口控制器和直流-直流转换器,ON Semiconductor### 直流-直流控制器、转换器和稳压器,ON Semiconductor
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