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UCC27210D
器件3D模型
2.743
UCC27210D 数据手册 (44 页)
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UCC27210D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
8.00V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
7.2ns, 5.5ns
输出接口数
2 Output
输出电流
4 A
针脚数
8 Position
上升时间
8 ns
下降时间
7 ns
下降时间(Max)
400 ns
上升时间(Max)
600 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
8V ~ 17V
电源电压(Max)
17 V
电源电压(Min)
8 V

UCC27210D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 140℃

UCC27210D 数据手册

TI(德州仪器)
44 页 / 1.07 MByte
TI(德州仪器)
3 页 / 0.18 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.17 MByte

UCC27210 数据手册

TI(德州仪器)
120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27210D  驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 21ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27210DDA  高压侧, 低压侧驱动器, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 21ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27210DPRT  芯片, 驱动器, 高/低压侧, 4A, 10WSON
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver
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