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器件3D模型
¥ 0.022
NCP5106ADR2G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
MOSFET驱动器
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NCP5106ADR2G 数据手册 (21 页)
引脚图
在
3 页
Hot
封装尺寸
在
17 页
18 页
19 页
典型应用电路图
在
1 页
2 页
原理图
在
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NCP5106ADR2G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
85ns, 35ns
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
2 Output
输出电压
20.0 V
上升时间
160ns (Max)
下降时间
75ns (Max)
下降时间(Max)
75 ns
上升时间(Max)
160 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V
查看数据手册 >
NCP5106ADR2G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
NCP5106ADR2G 符合标准
NCP5106ADR2G 海关信息
NCP5106ADR2G 概述
●
MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor
●
功率驱动器,用于低侧、高侧和半桥式电路中的 MOSFET 和 IGBT。
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NCP5106ADR2G
产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
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NCP5106ADR2G
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