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SPB07N60C3
0.437
SPB07N60C3 数据手册 (13 页)
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SPB07N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
7.30 A
封装
TO-263-3
额定功率
83 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.54 Ω
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
7.30 A
上升时间
3.5 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
83 W
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83W (Tc)

SPB07N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.31 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.572 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPB07N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 1.35 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.42 MByte

SPB07N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
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