器件3D模型

￥ 0.577

NCP5181DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NCP5181DR2G 芯片, MOSFET/IGBT驱动器, 双输入

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NCP5181DR2G 数据手册 (12 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在11 页 12 页

典型应用电路图在2 页

原理图在2 页

NCP5181DR2G 数据手册 (12 页)

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NCP5181DR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

封装

SOIC-8

上升/下降时间

40ns, 20ns

无卤素状态

Halogen Free

输出接口数

2 Output

输出电压

620.3 V

输出电流

2.20 A

针脚数

8 Position

功耗

178 mW

上升时间

60 ns

下降时间

40 ns

下降时间(Max)

40 ns

上升时间(Max)

60 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

178 mW

电源电压

10V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

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NCP5181DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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NCP5181DR2G 符合标准

NCP5181DR2G 海关信息

NCP5181DR2G 概述