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NCV20072DR2G
器件3D模型
0.494
NCV20072DR2G 数据手册 (23 页)
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NCV20072DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出电流
60mA @5V
供电电流
465 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
0.2 W
共模抑制比
145 dB
带宽
3 MHz
增益频宽积
3.2 MHz
输入补偿电压
1.3 mV
输入偏置电流
2 nA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
200 mW
共模抑制比(Min)
60 dB
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
2.7 V

NCV20072DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

NCV20072DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
23 页 / 0.93 MByte
ON Semiconductor(安森美)
30 页 / 1.25 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte

NCV20072DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
运算放大器, RR O/P, 2个放大器, 3 MHz, 2.7 V/µs, 2.7V 至 36V, ± 1.35V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚
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