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NCV33152DR2G
器件3D模型
0.369
NCV33152DR2G 数据手册 (12 页)
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NCV33152DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
18.0V (max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
36ns, 32ns
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
2 Output
输出电流
1.5 A
针脚数
8 Position
功耗
560 mW
上升时间
36 ns
输出电流(Max)
1.5 A
下降时间
32 ns
下降时间(Max)
32 ns
上升时间(Max)
36 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
560 mW
电源电压
6.1V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
6.1 V

NCV33152DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

NCV33152DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.29 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.27 MByte

NCV33152DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高速双MOSFET驱动器 HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS
ON Semiconductor(安森美)
MOSFET驱动器
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