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NDC7001C
1.104
NDC7001C 数据手册 (8 页)
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NDC7001C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电流
350 mA
封装
TSOT-23-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
1 Ω
极性
N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel
功耗
960 mW
阈值电压
2.1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
510 mA
输入电容值(Ciss)
20pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.96 W

NDC7001C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDC7001C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

NDC7001 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N和P沟道增强型场效应晶体管 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDC7001C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 340 mA, 50 V, 1 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET NDC7001C, 340 mA,510 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
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