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NDF02N60ZH
0.27
NDF02N60ZH 数据手册 (10 页)
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NDF02N60ZH 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
4.8 Ω
功耗
24W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
325pF @25V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
24W (Tc)

NDF02N60ZH 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.63 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.12 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDF02N60ZH 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.2 MByte

NDF02N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NDF02N60ZG  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 2.4A, TO-220FP
Sanyo Semiconductor(三洋)
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