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NDF11N50ZG
0.352
NDF11N50ZG 数据手册 (7 页)
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NDF11N50ZG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.48 Ω
极性
N-Channel
功耗
39 W
阈值电压
3.9 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
12A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
1645pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
39 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
39W (Tc)

NDF11N50ZG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDF11N50ZG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.14 MByte

NDF11N50 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NDF11N50ZG  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.48 ohm, 10 V, 3.9 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET,500V,10.5A,0.52Ω,单N沟道
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的500 V, 0.52 ? N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52
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