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NDS331N
0.153
NDS331N 数据手册 (9 页)
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NDS331N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
功耗
500 mW
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
162pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

NDS331N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

NDS331N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.36 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.6 MByte

NDS331 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS331N  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.11 ohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
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