NDS352AP 数据手册 - TI（德州仪器）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS352AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 V

P沟道 30 V 0.5 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管 - SSOT-3

P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor