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NDS352P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDS352P 数据手册 (7 页)

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NDS352P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-850 mA

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

460 mΩ

极性

P-Channel

功耗

500mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-850 mA to 850 mA

输入电容值(Ciss)

125pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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NDS352P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NDS352P 符合标准

NDS352P 概述

NDS352P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.09 MByte

NDS352P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

NDS352P 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.07 MByte

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