￥ 0.146

NDS355AN 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平增强模式场效应晶体管-SSOT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDS355AN 数据手册 (9 页)

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NDS355AN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.065 Ω

功耗

500 mW

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

195pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

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NDS355AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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NDS355AN 符合标准

NDS355AN 概述

NDS355AN 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.16 MByte

NDS355AN 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

NDS355AN 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2.07 MByte

NDS355AN 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

NDS355AN 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

NDS355AN 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.6 MByte

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