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NDT452P
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NDT452P 数据手册 (10 页)
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NDT452P 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
525pF @10V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

NDT452P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

NDT452P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.22 MByte

NDT452 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT452AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 65 mohm, -10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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