￥ 1.45

NE3210S01-T1B 数据手册 - California Eastern Laboratories

制造商:

California Eastern Laboratories

分类:

晶体管

封装:

SMD-4

描述:

NE3210S01 N 沟道 12 Ghz 13.5 dB 165 mW 低噪声 HJ FET - SO-1

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NE3210S01-T1B 数据手册 (15 页)

封装尺寸在13 页

NE3210S01-T1B 数据手册 (15 页)

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NE3210S01-T1B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

12 GHz

引脚数

4 Pin

封装

SMD-4

功耗

165 mW

漏源击穿电压

4.00 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 mA

增益

13.5 dB

测试电流

10 mA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

165 mW

额定电压

4 V

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NE3210S01-T1B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.5 mm

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NE3210S01-T1B 符合标准

NE3210S01-T1B 海关信息

NE3210S01-T1B 数据手册

California Eastern Laboratories

15 页 / 0.36 MByte

NE3210S01-T1B 其他数据使用手册

California Eastern Laboratories

32 页 / 1.89 MByte

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