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NE3210S01-T1B
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NE3210S01-T1B 数据手册 (15 页)
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NE3210S01-T1B 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SO-1
增益
13.5 dB

NE3210S01-T1B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

NE3210S01-T1B 数据手册

NEC(日本电气)
15 页 / 0.36 MByte

NE3210S01T1 数据手册

California Eastern Laboratories
NEC(日本电气)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
California Eastern Laboratories
NE3210S01 N 沟道 12 Ghz 13.5 dB 165 mW 低噪声 HJ FET - SO-1
NEC(日本电气)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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