￥ 2.606

NE3514S02-A 数据手册 - California Eastern Laboratories

制造商:

California Eastern Laboratories

分类:

JFET晶体管

封装:

SMD-4

描述:

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 K Band Super Low Noise Amp N-Ch

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NE3514S02-A 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NE3514S02-A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

20 GHz

引脚数

4 Pin

额定电流

70 mA

封装

SMD-4

极性

N-Channel

功耗

165 mW

漏源击穿电压

4.00 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 mA

增益

10 dB

测试电流

10 mA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

165 mW

额定电压

4 V

查看数据手册 >

NE3514S02-A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tray

高度

1.5 mm

工作温度

-65℃ ~ 125℃

查看数据手册 >

NE3514S02-A 符合标准

NE3514S02-A 数据手册

California Eastern Laboratories

10 页 / 0.61 MByte

NE3514S02-A 其他数据使用手册

California Eastern Laboratories

24 页 / 1.47 MByte

NE3514S02-A 其他参考文件

California Eastern Laboratories

1 页 / 0.14 MByte

NE3514S02 数据手册

California Eastern Laboratories

NE3514S02-A 数据手册

California Eastern Laboratories

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 K Band Super Low Noise Amp N-Ch

NE3514S02-T1C-A 数据手册

California Eastern Laboratories

NE3514S02-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

NE3514S02-T1D-A 数据手册

California Eastern Laboratories

NE3514S02-T1D-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

NE3514S02-T1C-A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号