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器件3D模型
￥ 0.213
NE5517DG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
放大器、缓冲器
封装:
SOIC-16
描述:
ON SEMICONDUCTOR NE5517DG. 芯片, 跨导放大器, 2MHZ, SOIC-16
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NE5517DG 数据手册 (32 页)
封装尺寸
在
26 页
28 页
29 页
典型应用电路图
在
4 页
原理图
在
4 页
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NE5517DG 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
44.0 V
封装
SOIC-16
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
≥350 A
供电电流
2.6 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1.125 W
共模抑制比
80 dB
转换速率
50.0 V/μs
增益频宽积
2 MHz
输入补偿电压
400 µV
输入偏置电流
400 nA
输入电压(Max)
5 V
输出电流(Max)
650 µA
输出电流(Min)
350 µA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
2 MHz
耗散功率(Max)
1125 mW
共模抑制比(Min)
75dB ~ 85dB
电源电压
44 V
电源电压(Max)
30V ~ 50V
电源电压(Min)
4 V
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NE5517DG 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
宽度
4 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃
查看数据手册 >
NE5517DG 符合标准
NE5517DG 海关信息
NE5517DG 数据手册
NE5517DG
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
32 页 / 1.98 MByte
NE5517DG
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ON Semiconductor（安森美）
16 页 / 0.28 MByte
NE5517DG
产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 0.55 MByte
NE5517 数据手册
NE5517
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance Amplifier
NE5517
DG
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NE5517DG. 芯片, 跨导放大器, 2MHZ, SOIC-16
NE5517
DR2G
数据手册
ON Semiconductor（安森美）
NE5517、双运算互电导放大器，ON Semiconductor恒定阻抗缓冲器 放大器之间达到极佳匹配 线性二极管 高输出信噪比 ### 运算放大器，ON Semiconductor
NE5517
ANG
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NE5517
NG
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ON Semiconductor（安森美）
双通道互导放大器
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双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance Amplifier
NE5517
D
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NXP（恩智浦）
双路运算跨导放大器 Dual operational transconductance amplifier
NE5517
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ON Semiconductor（安森美）
双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance Amplifier
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