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器件3D模型
¥ 1.653
NE5517AN 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
放大器、缓冲器
封装:
DIP-16
描述:
双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance Amplifier
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
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NE5517AN 数据手册 (15 页)
引脚图
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NE5517AN 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
16 Pin
封装
DIP-16
供电电流
2.6 mA
电路数
2 Circuit
功耗
1500 mW
增益频宽积
2 MHz
输入补偿电压
400 µV
输入偏置电流
400 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW
共模抑制比(Min)
75dB ~ 85dB
电源电压(Max)
30V ~ 50V
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NE5517AN 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
19.55 mm
宽度
6.85 mm
高度
3.43 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃
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双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance Amplifier
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ON SEMICONDUCTOR NE5517DG. 芯片, 跨导放大器, 2MHZ, SOIC-16
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NE5517
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D
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双路运算跨导放大器 Dual operational transconductance amplifier
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