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NIF62514T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

自我保护FET的温度和电流限制 Self−protected FET with Temperature and Current Limit

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NIF62514T1G 数据手册 (4 页)

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NIF62514T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-261-4

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

0.09 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.1 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

输出电流(Max)

6 A

工作温度(Max)

150 ℃

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NIF62514T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NIF62514T1G 符合标准

NIF62514T1G 海关信息

NIF62514T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.04 MByte

NIF62514T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.21 MByte

NIF62514T1G 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.13 MByte

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42V门限,具有过温和过流保护

NIF62514T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

自我保护FET的温度和电流限制 Self−protected FET with Temperature and Current Limit

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