￥ 0.263

NJVMJD31CT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NJVMJD31CT4G 单晶体管双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NJVMJD31CT4G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在5 页 6 页

NJVMJD31CT4G 数据手册 (7 页)

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NJVMJD31CT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

3 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

15 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

25 @1A, 4V

额定功率(Max)

1.56 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

15000 mW

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NJVMJD31CT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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NJVMJD31CT4G 符合标准

NJVMJD31CT4G 海关信息

NJVMJD31CT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.16 MByte

NJVMJD31CT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.27 MByte

NJVMJD31CT4G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.09 MByte

NJVMJD31CT4G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.46 MByte

NJVMJD31CT4 数据手册

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