￥ 2.783

IPB020N10N5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263-3

描述:

场效应管(MOSFET) IPB020N10N5 TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB020N10N5 数据手册 (11 页)

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IPB020N10N5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

26 ns

下降时间

29 ns

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IPB020N10N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPB020N10N5 符合标准

IPB020N10N5 海关信息

IPB020N10N5 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.97 MByte

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