￥ 2.412

NJW3281G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3-3

描述:

NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NJW3281G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

NJW3281G 数据手册 (8 页)

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NJW3281G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

200 W

增益频宽积

30 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

250 V

集电极最大允许电流

15A

最小电流放大倍数

75 @3A, 5V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

200 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

200000 mW

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NJW3281G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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NJW3281G 符合标准

NJW3281G 海关信息

NJW3281G 概述