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BGT24MTR11
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BGT24MTR11 数据手册 (27 页)
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BGT24MTR11 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
VQFN-32-9
增益
26.0 dB

BGT24MTR11 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

BGT24MTR11 数据手册

Infineon(英飞凌)
27 页 / 1.84 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 1.72 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.96 MByte

BGT24 数据手册

Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
射频收发器, 硅锗雷达, MMIC, 24GHz至24.25GHz, 6dBm输出, 3.2V至3.4V, TSNP-16
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
射频收发器 MM-WAVE-MMICS
Infineon(英飞凌)
射频开关 BGT24ATR11E6433XUMA1 VQFN-32(4.5x5.5)
Infineon(英飞凌)
射频收发器 MM-WAVE-MMICS
Infineon(英飞凌)
射频开关 BGT24AR2E6433XUMA1 VQFN-32-EP(4.5x5.5)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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