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NST30010MXV6T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-563
描述:
NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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NST30010MXV6T1G数据手册
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NST3904DXV6T1G, NSVT3904DXV6T1G, NST3904DXV6T5G, SNST3904DXV6T5G
www.onsemi.com
6
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 14. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h , DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
0.5 2.0 3.0 10 50
70
0.2 0.3
0.1
100
1.00.7
200
30205.0 7.0
FE
V
CE
= 1.0 V
T
J
= +125°C
+25°C
-55°C
Figure 15. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V , COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.5 2.0 3.0 100.2 0.3
0
1.00.7 5.0 7.0
CE
I
C
= 1.0 mA
T
J
= 25°C
0.070.050.030.020.01
10 mA 30 mA 100 mA
Figure 16. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 17. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 2.0 5.0 10 20
50
0
100
-0.5
0
0.5
1.0
0 60 80 120 140 160
180
20 40
100
COEFFICIENT (mV/ C)
200
-1.0
-1.5
-2.0
200
°
T
J
= 25°C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
=10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
=10
V
BE
@ V
CE
=1.0 V
+25°C TO +125°C
-55°C TO +25°C
+25°C TO +125°C
-55°C TO +25°C
q
VC
FOR V
CE(sat)
q
VB
FOR V
BE(sat)
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