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NSV60200LT1G
0.043
NSV60200LT1G 数据手册 (5 页)
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NSV60200LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
0.54 W
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
150 @500mA, 2V
额定功率(Max)
460 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
540 mW

NSV60200LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NSV60200LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 2.14 MByte

NSV60200LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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