￥ 3.574

STP165N10F4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP165N10F4 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STP165N10F4 数据手册 (12 页)

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STP165N10F4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

315 W

阈值电压

4 V

输入电容

10750 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

62 ns

输入电容值(Ciss)

10500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

315 W

下降时间

106 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

315W (Tc)

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STP165N10F4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP165N10F4 符合标准

STP165N10F4 海关信息

STP165N10F4 概述

STP165N10F4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.65 MByte

STP165N10F4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.64 MByte

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