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NTA4151PT1
器件3D模型
0.05
NTA4151PT1 数据手册 (6 页)
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NTA4151PT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-760 mA
封装
SC-75-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
490 mΩ
极性
P-Channel
功耗
301 mW
输入电容
156 pF
栅电荷
2.10 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
760 mA
上升时间
8.2 ns
输入电容值(Ciss)
156pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
301 mW
下降时间
8.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
301 mW

NTA4151PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.6 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTA4151PT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
26 页 / 0.08 MByte

NTA4151 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTA4151PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 760 mA, -20 V, 0.26 ohm, -4.5 V, -450 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET -20 V, -760毫安,单P沟道,门齐, SC- 75 , SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET -20 V, -760毫安,单P沟道,门齐, SC- 75 , SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89
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