￥ 0.054

NTB5605PT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTB5605PT4G MOSFET Transistor, P Channel, -18.5 A, -60 V, 0.12 ohm, -5 V, -1.5 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NTB5605PT4G 数据手册 (7 页)

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NTB5605PT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-18.5 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

极性

P-Channel

功耗

88 W

阈值电压

1.5 V

输入电容

730 pF

栅电荷

22.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.5 A

上升时间

122 ns

输入电容值(Ciss)

1190pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

88 W

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

88W (Tc)

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NTB5605PT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTB5605PT4G 符合标准

NTB5605PT4G 海关信息

NTB5605PT4G 概述