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ZXMN10A07ZTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-89-3

描述:

ZXMN10A07Z 系列 100 V 0.7 Ohm N 沟道增强模式 MOSFET -SOT-89

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMN10A07ZTA 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

ZXMN10A07ZTA 数据手册 (7 页)

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ZXMN10A07ZTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

700 mA

封装

SOT-89-3

漏源极电阻

900 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.6 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.40 A

上升时间

1.5 ns

输入电容值(Ciss)

138pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

2.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2600 mW

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ZXMN10A07ZTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXMN10A07ZTA 符合标准

ZXMN10A07ZTA 海关信息

ZXMN10A07ZTA 概述

ZXMN10A07ZTA 数据手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.32 MByte

ZXMN10A07ZTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

ZXMN10A07ZTA 产品封装文件

Diodes（美台）

7 页 / 0.32 MByte

ZXMN10A07ZTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

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Diodes（美台）

ZXMN10A07FTA 编带

ZXMN10A07ZTA 数据手册

Diodes（美台）

ZXMN10A07Z 系列 100 V 0.7 Ohm N 沟道增强模式 MOSFET -SOT-89

ZXMN10A07F 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

ZXMN10A07F 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. ZXMN10A07F 晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 100 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

ZXMN10A07FTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZXMN10A07ZTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZXMN10A07F 数据手册

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