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NTB85N03G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET 85安培， 28伏娜????频道TOA ???? 220和D2PAK Power MOSFET 85 Amps, 28 Volts NâChannel TOâ220 and D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB85N03G 数据手册 (7 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在6 页 7 页

典型应用电路图在1 页

NTB85N03G 数据手册 (7 页)

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NTB85N03G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

28.0 V

额定电流

85.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

6.10 mΩ

极性

N-Channel

功耗

80W (Tc)

输入电容

2.15 nF

栅电荷

29.0 nC

漏源极电压(Vds)

28 V

漏源击穿电压

28.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

85.0 A

输入电容值(Ciss)

2150pF @24V(Vds)

耗散功率(Max)

80W (Tc)

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NTB85N03G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTB85N03G 符合标准

NTB85N03G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.07 MByte

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