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NTD110N02RT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

24V,110A功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD110N02RT4G 数据手册 (6 页)

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NTD110N02RT4G 数据手册 (6 页)

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NTD110N02RT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

24.0 V

额定电流

110 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0041 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

1.5 V

输入电容

3.44 nF

栅电荷

28.0 nC

漏源极电压(Vds)

24 V

漏源击穿电压

24 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

110 A

上升时间

39 ns

输入电容值(Ciss)

3440pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.5W (Ta), 110W (Tc)

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NTD110N02RT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD110N02RT4G 符合标准

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NTD110N02RT4G 概述