￥ 0.524

NTD25P03LT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD25P03LT4G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD25P03LT4G 数据手册 (10 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在9 页

典型应用电路图在2 页

NTD25P03LT4G 数据手册 (10 页)

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NTD25P03LT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-25.0 A

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.056 Ω

极性

P-Channel

功耗

75 W

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

25.0 A

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

1260pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

75 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

75 W

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NTD25P03LT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTD25P03LT4G 符合标准

NTD25P03LT4G 海关信息

NTD25P03LT4G 概述