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NTD3055-094G
0.607
NTD3055-094G 数据手册 (10 页)
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NTD3055-094G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
94.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.5 W
输入电容
450 pF
栅电荷
20.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
32.3 ns
输入电容值(Ciss)
450pF @25V(Vds)
下降时间
23.9 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.5 W

NTD3055-094G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD3055-094G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.11 MByte

NTD3055094 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
60V,24A,N沟道功率MOSFET
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.084 ohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094-1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, DPAK-3
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 12 A, 60 V Power MOSFET 12 A, 60 V
ON Semiconductor(安森美)
12A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 12 A, 60 V Power MOSFET 12 A, 60 V
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