￥ 0.317

NTD5865NLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD5865NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

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NTD5865NLT4G 数据手册 (8 页)

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NTD5865NLT4G 数据手册 (8 页)

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NTD5865NLT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.013 Ω

极性

N-Channel

功耗

52 W

阈值电压

1 V

输入电容

1.4 nF

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

12.4 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

52 W

下降时间

4.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

71W (Tc)

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NTD5865NLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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NTD5865NLT4G 符合标准

NTD5865NLT4G 概述

NTD5865NLT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.21 MByte

NTD5865NLT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.09 MByte

NTD5865NLT4G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.04 MByte

NTD5865NLT4G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.03 MByte

NTD5865NLT4 数据手册

NTD5865NLT4G 数据手册

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