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NTGS3441T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-6

描述:

1A,-20V,功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTGS3441T1G 数据手册 (6 页)

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NTGS3441T1G 数据手册 (6 页)

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NTGS3441T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-1.00 A

封装

SOT-23-6

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.09 Ω

极性

P-Channel

功耗

1 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

2.35 A

上升时间

23.5 ns

输入电容值(Ciss)

480pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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NTGS3441T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.5 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTGS3441T1G 符合标准

NTGS3441T1G 海关信息

NTGS3441T1G 概述

NTGS3441T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

NTGS3441T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.47 MByte

NTGS3441T1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.06 MByte

NTGS3441T1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

NTGS3441T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

NTGS3441T1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

NTGS3441T1 数据手册

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-3.05A,-30V功率MOSFET和肖特基二极管

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1A,-20V,功率MOSFET

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