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NTGS5120PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-6

描述:

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTGS5120PT1G 数据手册 (6 页)

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NTGS5120PT1G 数据手册 (6 页)

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NTGS5120PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-23-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.072 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.1 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

2.90 A, -2.50 A

上升时间

4.9 ns

输入电容值(Ciss)

942pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

600 mW

下降时间

12.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600mW (Ta)

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NTGS5120PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.5 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTGS5120PT1G 符合标准

NTGS5120PT1G 海关信息

NTGS5120PT1G 概述