￥ 0.443

NTHD3100CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SMD-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTHD3100CT1G. 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

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NTHD3100CT1G 数据手册 (8 页)

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NTHD3100CT1G 数据手册 (8 页)

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NTHD3100CT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

2.90 A

封装

SMD-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.064 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

3.90 A

输入电容值(Ciss)

165pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

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NTHD3100CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3.05 mm

宽度

1.65 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTHD3100CT1G 符合标准

NTHD3100CT1G 海关信息

NTHD3100CT1G 概述