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IRFH6200TRPBF
0.783
IRFH6200TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFH6200TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN-8
额定功率
3.6 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0012 Ω
极性
N-Channel
功耗
156 W
阈值电压
800 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
45A
上升时间
74 ns
输入电容值(Ciss)
10890pF @10V(Vds)
下降时间
160 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)

IRFH6200TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6 mm
宽度
5 mm
高度
0.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH6200TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.07 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.11 MByte

IRFH6200 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFH6200TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 20 V, 0.00075 ohm, 10 V, 800 mV 新
International Rectifier(国际整流器)
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